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    注册 2022-07-06
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    • 本发明属于复合材料,具体涉及一种磁定向石墨烯碳复合材料及其制备方法。背景技术、石墨烯作为一类新型材料,除具有超高的强度之外,其面内热导率高达w(m·k)以上,利用石墨烯作为导热增强填料,给新一代散热材料的研制提供了难得的机遇。但是由于石
      专利查询4月前
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    • 本申请涉及混凝土领域,更具体地说,它涉及一种自密实混凝土及其制备方法。背景技术、随着现代建筑技术的不断发展,混凝土作为最重要的建筑材料之一,其性能和应用范围也在不断扩大。其中,自密实混凝土(self-compacting concrete,
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及电力,尤其涉及一种输电线路裸露点绝缘缠绕装置。背景技术、目前,全省共有公有线路.万条,总长度.万公里,其中架空线路.万公里,电缆线路.万公里,架空线路的绝缘化率仅为.%(仅小部分区域存在裸露点的导线不计入裸露导线)。对近年线路发生
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及植物补光灯具,尤其涉及一种节能种植架照明装置。背景技术、当前室内的种植架照明都采用在植物生长上方直接放置灯具的方式,其灯具电源与光源会损耗约%~%的电能转换为热能。然而,植物在室内生长除了需要光与所对应的营养物质以外,其所处的环境
      专利查询4月前
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    • 本公开涉及用于生成学习模型的方法和使用所生成的学习模型的数据学习服务器。背景技术、近年来,在各种领域中已经使用了自动识别数据,诸如语音、图像、运动图像和文本,以提供与数据相关的信息或与数据相关的服务的智能服务。、智能服务中使用的人工智能技术
      专利查询4月前
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    • 本公开涉及通信,尤其是涉及一种广告处理方法、装置、计算机系统、存储介质和程序产品。背景技术、现有技术中,通过视频彩铃在主被叫用户通话接通前在移动终端呼叫等待界面进行广告展示,通常会根据用户所处地理位置或主被叫双方的用户画像与预置规则进行个性
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及砂浆领域,具体是一种高强防火砂浆及其制备工艺。背景技术、多样的建筑材料为社会发展添砖加瓦,随之而来的即安全问题,尤其是在电力社会的今天,火灾是安全问题的重点关注。、现有建筑多采用导热快的钢结构,其存在机械性能、承载能力等随着温度的
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及锂离子电池领域,具体涉及一种高镍化合物及包含其的正极极片。背景技术、目前,随着新能源市场的快速发展,高镍锂电池(ni的摩尔分数≥.)作为一种环境友好型的储电材料,受到越来越多的关注,正极材料作为锂电池中最为重要的组成部分之一直接影
      专利查询4月前
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    • 本发明实施例涉及智能电网,尤其涉及一种电网业务提醒方法、装置、设备、产品及存储介质。背景技术、随着电网业务数字化转型的深入推进,电力企业内部众多业务系统纷纷引入短信通知功能。与此同时,电力企业各业务线条的手机移动应用逐渐增多,手机移动办公场
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及污染土壤修复,尤其涉及一种生物降解缓释螯合剂及其制备方法。背景技术、核能作为一种低碳清洁能源备受各国重视,铀的需求量和铀矿开采量随之逐年增加。铀是一种具有放射性的核素,既具有类似重金属的化学毒性,又具有放射毒性。核工业活动将大量铀
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及动物养殖,具体为一种动物标识系统。背景技术、目前常用的有源动物标识系统有耳标、项圈、脚环等。有源电子耳标的脱落率高,一旦脱落就会造成动物身份信息丢失。项圈、脚环等无法用在猪等动物上。并且项圈、脚环对长度调整的要求较高,过长容易脱落
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及显示,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。背景技术、随着显示技术的发展,显示产品应用越来越广泛。有机发光二极管(organiclight emitting diode,oled)以及基于发光二极管(light emitti
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及材料,具体涉及一种锂离子电池灭火剂及其制备方法。背景技术、锂离子电池具有循环性能好、无记忆效应、比能量高等优点,广泛应用于电动汽车、电化学储能以及其它电子产品中。当前我国是锂离子电池第一生产及应用大国,正大力发展锂离子电池技术,锂
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及倒闸操作,具体为一种倒闸操作全过程接地线管控系统与方法。背景技术、变电站内电力设备在运行转检修过程中,有接地刀闸的设备可直接合上接地刀闸,其他检修设备则需要加挂接地线,接地线作为保障人身安全的重要设备,在变电设备检修作业中将检修设
      专利查询4月前
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    • 本发明涉及一种半导体制造领域;特别是,涉及一种栅极堆叠结构的制作方法。背景技术、随着微电子器件继续微缩,器件几何尺寸不断缩小,特别是从nm cmos集成电路工艺起,随着器件特征尺寸的不断缩小,为了抑制短沟道效应,cmos器件中栅绝缘介质层的
      专利查询4月前
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