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分散在烃中而得到的无机氧化物溶胶和其制造方法与流程
.本发明涉及通过将用烷基修饰了粒子表面的无机氧化物粒子分散于烃系溶剂而得到的无机氧化物溶胶和其制造方法。背景技术.关于有机溶剂分散无机氧化物溶胶,在分散于塑料或清漆等的树脂组合物中的情况下是有用的。.例如公开有一种方法:将水性分散二氧化硅溶
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2022-7-6
324
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通信日志聚合装置及通信日志聚合方法与流程
.本公开涉及通信日志聚合装置及通信日志聚合方法。背景技术.近年来,在汽车中的系统中,配置有许多被称作电子控制单元(electroniccontrolunit,以下称作ecu)的装置。将这些ecu相连的网络被称作车载网络。车载网络中存在许多标
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2022-7-6
359
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信息处理装置及信息处理方法与流程
.本发明涉及信息处理装置及信息处理方法。背景技术.以往,使用洗衣机或电饭锅等的家电设备。对家电设备进行控制,以使其与用户的生活中的行动匹配而在适当的时候动作。.以往,有根据用户的睡眠状态来改变报告的进行方式的技术(参照专利文献)。.现有技术
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2022-7-6
325
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乘载模组和使用该乘载模组的辅具的制作方法
.本发明涉及一种医疗复健与健康照护辅助器材,特别是指一种可便利不同程度失能者在不同场景需求下使用的乘载模组和其与主机模组组合而成的照护机及移位机等辅具系统。背景技术.全球发达国家及部分开发中国家的人口年龄快速老化,健康照护产业成为全球未来具
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2022-7-6
308
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模型训练、数据增强方法、装置、电子设备及存储介质与流程
.本申请涉及计算机技术领域,尤其涉及一种模型训练、数据增强方法、装置、电子设备及存储介质。背景技术.随着数据采集技术的不断进步,越来愈多的数据正在被收集并广泛应用于商业分析,金融服务和医疗教育等各个方面。.但是,由于数据本身的不平衡性和采集
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2022-7-6
330
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燃料电池系统的制作方法
本发明涉及一种燃料电池系统。背景技术近年来,正在推进固体氧化物型燃料电池(SOFC:SolidOxideFuelCell)的开发。SOFC是如下一种发电机构:在空气极生成的氧化物离子透过电解质向燃料极移动,在燃料极氧化物离子通过与氢或一氧化
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2022-7-6
335
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燃料电池的制作方法
本发明涉及燃料电池。背景技术近几年,作为燃料电池提出了各种与使用甲酸,甲醇等液体燃料的燃料电池相关的技术。例如,日本特开2007-95692号公报所记载的燃料电池具备以具有绝缘性的隔板为中心,在其两侧相互对置且在长边方向上以恒定间隔配置的多
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2022-7-6
359
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无锂电池及其制备方法与流程
与相关申请的交叉引用本申请要求向韩国知识产权局于2020年5月8日提交的第10-2020-0055157号韩国专利申请和于2021年1月21日提交的第10-2021-0008511号韩国专利申请的权益,所述专利申请的公开内容通过引用整体并入
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2022-7-6
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负极和包含所述负极的二次电池的制作方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2019年12月17日提交的韩国专利申请第10-2019-0169171号的优先权和权益,通过引用将其发明内容以其完整的形式并入本文中。技术领域本发明涉及一种具有优异的初始效率和优异的寿命特性的负极以及包含所述
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2022-7-6
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用于集成电路的电阻器的制作方法
本公开涉及薄膜集成电路和用于制造薄膜集成电路的方法。背景技术可以使用多种不同的结构和材料来提供用于集成电路(IC)的电阻器,其中电阻器的每种变化都可能提供不同的电阻范围。然而,当考虑用于薄膜IC的电阻器时,由于使用薄膜材料提供电阻器的电阻器
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2022-7-6
357
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制造光电子器件的方法与流程
技术领域本发明一般地涉及包括纳米级或微米级的半导体元件,特别是微米线或纳米线,或具有棱锥形状的结构的光电子器件,从而形成发光二极管和覆盖发光二极管的光致发光块。背景技术术语“光电子器件”用于表示能够将电信号转换为电磁辐射或执行相反操作的器件
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2022-7-6
324
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LED阵列和形成LED阵列的方法与流程
本公开涉及LED阵列和形成LED阵列的方法。特别地,本公开涉及包括III族氮化物的LED阵列。背景技术单片微LED(micro-LED)阵列非常适合生产具有小间距的高分辨率显示器,其中,由于良率和产量限制,取放(pick-and-place
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2022-7-6
316
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摄像元件的制作方法
本公开涉及摄像元件。背景技术摄像元件被广泛使用于摄像机、数字照相机、监视相机及车载相机等各种产品领域。作为摄像元件,能够使用CCD(电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice))摄像元件或者CMOS(互补金属氧化物半导体(Comp
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2022-7-6
305
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集成组合件及形成集成组合件的方法与流程
本申请案涉及2019年11月12日申请的标题为“集成组合件及形成集成组合件的方法(IntegratedAssembliesandMethodsofFormingIntegratedAssemblies)”序列号为16681,200的美国
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2022-7-6
305
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通过选择性外延再生长的环绕式栅极输入输出的形成方法与流程
本公开内容的实施方式大体涉及半导体装置,更特定言之涉及水平环绕式栅极装置结构和形成水平环绕式栅极装置结构的方法和设备。背景技术晶体管是大多数集成电路的关键部件。由于晶体管的驱动电流以及因此速度与晶体管的栅极宽度成正比,因此较快的晶体管通常需
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2022-7-6
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